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'1000일에 한 번 핸드폰 충전' 3진법 반도체 시대 오나

"핸드폰을 1000일에 한 번 충전하는 시대가 온다면?" 지난 17일 삼성전자의 지원을 받은 울산과학기술연구원 전기전자컴퓨터공학구 김경록 교수 연구팀이 '3진법 반도체' 신기술을 세계 최초로 구현했다. 삼성전자에 의하면 김경록 교수팀은 '초절전 3진법 금속-산화막-반도체'를 세계 최초로 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는데 성공했다고 밝혔다. 이는 세계적인 학술지 '네이쳐 일렉트로닉스'에 발표됐다. 현재 쓰이는 '2진법 반도체'와는 달리 '3진법'을 사용할 경우 소비전력이 훨씬 줄어들며 반도체 칩도 더욱 소형화할 수 있다. 3진법 반도체는 처리 속도까지 굉장히 빨라진다는 장점이 있다. 김성진 UNIST 조교수는 "휴대폰은 매일 충전을 해야 하는데 이는 전력 소모가 크기 때문이다"며 "3진법 반도체를 동일한 면적에 썼다면 1000일에 한 번만 충전하면 된다"고 설명했다. 삼성전자는 이번 연구를 통해 현재 산업계에서 쓰고 있는 기존 반도체 공정에서 3진법 반도체를 구현해내 2~3년 후 상용화할 전망이다고 밝혔다.

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